FQB5N90/FAIRCHILD仙童/900V5.4A/M

fqb5n90 n 沟道 qfet® mosfet 900v, 5.4a, 2.3ω

fqb5n90规格书

fqb5n90特性

5.4a, 900v, rds(on) = 2.3ω（Zui大值）@vgs = 10 v, id = 2.7a栅极电荷低（典型值：31nc)
低 crss（典型值13pf)
经过雪崩击穿测试
符合 rohs 标准

fqb5n90概述

该 n 沟道增强型功率 mosfet 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 dmos 技术生产。这种先进的 mosfet 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（pfc）及照明灯电子镇流器。

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