FQB5N90/FAIRCHILD仙童/900V5.4A/M
型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 备注 |
fqb5n90 | fairchild仙童 | to-263 | 15+ | 原装现货 |
fqb5n90 n 沟道 qfet® mosfet 900v, 5.4a, 2.3ω
fqb5n90规格书
fqb5n90特性
5.4a, 900v, rds(on) = 2.3ω(Zui大值)@vgs = 10 v, id = 2.7a栅极电荷低(典型值:31nc)
低 crss(典型值13pf)
经过雪崩击穿测试
符合 rohs 标准
fqb5n90概述
该 n 沟道增强型功率 mosfet 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 dmos 技术生产。这种先进的 mosfet 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(pfc)及照明灯电子镇流器。
联系方式:
公司:深圳市雅迪斯电子有限公司 地址:广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇 联系人:吴生 电话:0755-23946783 手机: 传真:0755-88600656
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发布时间:2016-08-11
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